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半導體光學檢測系列
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提升碳化硅成像檢測系統精度的關鍵技術分析
碳化硅成像檢測的應用領域
閃光光解系統有哪些應用領域？
高速線陣CMOS探測技術的演變與未來趨勢
如何根據需求選擇熒光光譜儀？
飛秒時間分辨太赫茲光譜系統的適用性
MICRO LED晶圓級綜合檢測系統明場/PL檢測類型：明場缺陷分析、電極缺陷分析、PL缺陷分析。
鈣鈦礦太陽能電池綜合性檢測分析系統檢測時間＜10 min（10cm*10cm） 空間分辨率20 μm/100μm。
碳化硅成像檢測,SiC晶圓質量成像檢測系統：晶圓襯底質量（載流子壽命）高速成像，快速篩查外延片晶格質量。
碳化硅襯底檢測,碳化硅成像檢測,碳化硅襯底位錯缺陷光學無損檢測系統：最高檢測速度：＜17min/片（6“）；BPD、TSD、TED分類識別。
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更新時間：2025-05-07
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