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穩(wěn)態(tài)/瞬態(tài)熒光光譜系統(tǒng)TPL300成像模塊功能：熒光強(qiáng)度/壽命/光譜成像、載流子遷移成像、光電流成像。

飛秒熒光,飛秒時(shí)間分辨太赫茲光譜,時(shí)間分辨熒光光譜,超快時(shí)間分辨太赫茲光譜系統(tǒng)THZ100自動(dòng)化系統(tǒng)：全自動(dòng)光路切換、自動(dòng)化光路校準(zhǔn)；充氮樣品倉(cāng)：支持溶液、薄膜、粉末樣品。

超快陰影泵浦探測(cè),飛秒陰影泵浦探測(cè),超快泵浦探測(cè)陰影成像系統(tǒng)UPSI100主要利用調(diào)節(jié)pump和probe光之間的光程差來進(jìn)行測(cè)試。首先激光打在樣品上，樣品表面會(huì)產(chǎn)生一定程度的損毀，由于本過程很快（p...

MICRO LED晶圓級(jí)綜合檢測(cè)系統(tǒng)明場(chǎng)/PL檢測(cè)類型：明場(chǎng)缺陷分析、電極缺陷分析、PL缺陷分析。

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池綜合性檢測(cè)分析系統(tǒng)檢測(cè)時(shí)間＜10 min（10cm*10cm） 空間分辨率20 μm/100μm。

碳化硅成像檢測(cè),SiC晶圓質(zhì)量成像檢測(cè)系統(tǒng)：晶圓襯底質(zhì)量（載流子壽命）高速成像，快速篩查外延片晶格質(zhì)量。

碳化硅襯底檢測(cè),碳化硅成像檢測(cè),碳化硅襯底位錯(cuò)缺陷光學(xué)無損檢測(cè)系統(tǒng)：最高檢測(cè)速度：＜17min/片（6“）；BPD、TSD、TED分類識(shí)別。

電激發(fā)納秒瞬態(tài)吸收光譜系統(tǒng)采用電控延遲系統(tǒng)和獨(dú)立超連續(xù)白光光源，用于檢測(cè)樣品在亞納秒到毫秒尺度的光/電誘導(dǎo)動(dòng)力學(xué)演化過程。